창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTT02N450HV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTx02N450HV | |
| 주요제품 | 4500 V Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 4500V(4.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750옴 @ 10mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 256pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 113W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTT02N450HV | |
| 관련 링크 | IXTT02N, IXTT02N450HV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | C2225C104J2RACTU | 0.10µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.221" L x 0.252" W(5.60mm x 6.40mm) | C2225C104J2RACTU.pdf | |
![]() | MKT1813415065 | 0.15µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Axial 0.197" Dia x 0.433" L (5.00mm x 11.00mm) | MKT1813415065.pdf | |
![]() | P600D-E3/54 | DIODE GEN PURP 200V 6A P600 | P600D-E3/54.pdf | |
| RSMF2GT390R | RES METAL OX 2W 390 OHM 2% AXL | RSMF2GT390R.pdf | ||
![]() | LPD5030-332MEC | LPD5030-332MEC Coilcraft SMD or Through Hole | LPD5030-332MEC.pdf | |
![]() | NXPXA2705C5G706425B | NXPXA2705C5G706425B ORIGINAL BGA | NXPXA2705C5G706425B.pdf | |
![]() | L6004D6RD | L6004D6RD TECCPR TO-252 | L6004D6RD.pdf | |
![]() | 5819 S4 | 5819 S4 ORIGINAL TO-92 | 5819 S4.pdf | |
![]() | HTP50645DQ | HTP50645DQ HARRIS QFP | HTP50645DQ.pdf | |
![]() | MP6300 | MP6300 M-PULSE SMD or Through Hole | MP6300.pdf | |
![]() | S1NK60 | S1NK60 ST SOP-8 | S1NK60.pdf |