창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTR32P60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTR32P60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 385m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 196nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 310W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTR32P60P | |
| 관련 링크 | IXTR32, IXTR32P60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5256BTA | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | 1N5256BTA.pdf | |
![]() | DRA2114Y0L | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 | DRA2114Y0L.pdf | |
![]() | ERD-S1TJ165V | RES 1.6M OHM 1/2W 5% AXIAL | ERD-S1TJ165V.pdf | |
![]() | H10A-25.000-18-F-50100-EXT-TR | H10A-25.000-18-F-50100-EXT-TR ORIGINAL SMD | H10A-25.000-18-F-50100-EXT-TR.pdf | |
![]() | SFX-P90CL-138AF | SFX-P90CL-138AF ORIGINAL DIP-32 | SFX-P90CL-138AF.pdf | |
![]() | CD54 330 M | CD54 330 M TASUND SMD or Through Hole | CD54 330 M.pdf | |
![]() | F941A475MBA1 | F941A475MBA1 NICHICON sod | F941A475MBA1.pdf | |
![]() | UPJ2E101MHH | UPJ2E101MHH nic DIP | UPJ2E101MHH.pdf | |
![]() | M34282M2-203GP | M34282M2-203GP ORIGINAL SMD or Through Hole | M34282M2-203GP.pdf | |
![]() | 2SC5343E G SOT416-CG | 2SC5343E G SOT416-CG AUK SMD or Through Hole | 2SC5343E G SOT416-CG.pdf | |
![]() | MCP1825-3002E/DC | MCP1825-3002E/DC MICROCHIP SOT223-5 | MCP1825-3002E/DC.pdf | |
![]() | MC0195EC | MC0195EC MOT 28 DIP | MC0195EC.pdf |