창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTR200N10P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTR200N10P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 235nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTR200N10P | |
| 관련 링크 | IXTR20, IXTR200N10P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | TA78L24P | TA78L24P TOSHIBA TA78L024P | TA78L24P.pdf | |
![]() | ES6881F | ES6881F ESS LQFP160 | ES6881F.pdf | |
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![]() | UCC28512DWR | UCC28512DWR TI SOP | UCC28512DWR.pdf | |
![]() | VI-JN1-EX/F4 | VI-JN1-EX/F4 VICOR SMD or Through Hole | VI-JN1-EX/F4.pdf | |
![]() | 10ELS2N-TA1B2 | 10ELS2N-TA1B2 CNI SMD or Through Hole | 10ELS2N-TA1B2.pdf | |
![]() | 25CE150LX | 25CE150LX SANYO/ SMD-2 | 25CE150LX.pdf |