창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTQ88N15 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 30 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTQ88N15 | |
관련 링크 | IXTQ8, IXTQ88N15 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | TAJD685M035SNJ | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 1.3 Ohm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD685M035SNJ.pdf | |
![]() | 1N6280A-E3/51 | TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC 1.5KE | 1N6280A-E3/51.pdf | |
![]() | CPCP10100R0FE32 | RES 100 OHM 10W 1% RADIAL | CPCP10100R0FE32.pdf | |
![]() | R6504P-11 | R6504P-11 ROCKWELL DIP | R6504P-11.pdf | |
![]() | S-8241ADWMC-GDWT2G | S-8241ADWMC-GDWT2G SEIKO SOT23-5 | S-8241ADWMC-GDWT2G.pdf | |
![]() | 195D106X0050C2T | 195D106X0050C2T SPRAGUE SMD or Through Hole | 195D106X0050C2T.pdf | |
![]() | BCM7335RKFSBA33G P20 | BCM7335RKFSBA33G P20 TI QFN | BCM7335RKFSBA33G P20.pdf | |
![]() | STM32F100R4H6 | STM32F100R4H6 ST BGA64 | STM32F100R4H6.pdf | |
![]() | 08R27296AL | 08R27296AL ORIGINAL DIP | 08R27296AL.pdf | |
![]() | LTE-301 | LTE-301 ORIGINAL SMD or Through Hole | LTE-301.pdf | |
![]() | MC68MH360EM25IC | MC68MH360EM25IC MOTOROLA SMD or Through Hole | MC68MH360EM25IC.pdf | |
![]() | MTD110N02T4 | MTD110N02T4 ON TO-252 | MTD110N02T4.pdf |