창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTQ69N30P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(Q,T)69N30P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHT™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 69A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 49m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 500W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTQ69N30P | |
관련 링크 | IXTQ69, IXTQ69N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | IXFR16N120P | MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247 | IXFR16N120P.pdf | |
![]() | SASP100S48AD | SS TIMR ON DLY, 100S ADJ, 48VAC/ | SASP100S48AD.pdf | |
![]() | AM29823DM | AM29823DM AMD DIP | AM29823DM.pdf | |
![]() | 30819-166 | 30819-166 SCHROFF SMD or Through Hole | 30819-166.pdf | |
![]() | XC5210TQ144-6I | XC5210TQ144-6I XILINX QFP | XC5210TQ144-6I.pdf | |
![]() | ULQ2003D13TR-6M | ULQ2003D13TR-6M ST SOP | ULQ2003D13TR-6M.pdf | |
![]() | V9333 | V9333 IXYS SMD or Through Hole | V9333.pdf | |
![]() | LCDV | LCDV LINEAR SMD or Through Hole | LCDV.pdf | |
![]() | 250V3300UF | 250V3300UF rubycon/nippon/nichicon SMD or Through Hole | 250V3300UF.pdf | |
![]() | TC3104P | TC3104P TOSHIBA DIP | TC3104P.pdf | |
![]() | HA12188AF-EL | HA12188AF-EL RENESAS SOP | HA12188AF-EL.pdf |