창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ64N25P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Q,T)64N25P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 49m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | Q2310188 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ64N25P | |
| 관련 링크 | IXTQ64, IXTQ64N25P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CC1206JRNPO9BN510 | 51pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206JRNPO9BN510.pdf | |
![]() | VJ2220Y274JBAAT4X | 0.27µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y274JBAAT4X.pdf | |
![]() | MKP385368085JFP2B0 | 0.068µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP385368085JFP2B0.pdf | |
![]() | 1N4148WTR | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | 1N4148WTR.pdf | |
![]() | Y0007330R000B0L | RES 330 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0007330R000B0L.pdf | |
![]() | 293D226X9010B2TQ1 | 293D226X9010B2TQ1 VISHAY 2KR | 293D226X9010B2TQ1.pdf | |
![]() | AV14K1210401R1 | AV14K1210401R1 SEI SMD | AV14K1210401R1.pdf | |
![]() | UC2805 | UC2805 UC SOP8 | UC2805.pdf | |
![]() | RF3166tr13(1) | RF3166tr13(1) RFMD SMD or Through Hole | RF3166tr13(1).pdf | |
![]() | BU9928FV | BU9928FV ROHM SOP-8P | BU9928FV.pdf | |
![]() | 5BL2C | 5BL2C TOSHIBA TO-220 | 5BL2C.pdf | |
![]() | DAC0800LJ DAC08Q | DAC0800LJ DAC08Q NS SMD or Through Hole | DAC0800LJ DAC08Q.pdf |