창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ60N20L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(T,Q,H)60N20L2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 255nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ60N20L2 | |
| 관련 링크 | IXTQ60, IXTQ60N20L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MCR006YRTJ754 | RES SMD 750K OHM 5% 1/20W 0201 | MCR006YRTJ754.pdf | |
![]() | EXB-V4V1R8JV | RES ARRAY 2 RES 1.8 OHM 0606 | EXB-V4V1R8JV.pdf | |
![]() | MBB02070C6342DC100 | RES 63.4K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C6342DC100.pdf | |
![]() | MAX7572LCWG12 | MAX7572LCWG12 MAX SOP-24 | MAX7572LCWG12.pdf | |
![]() | 49SMLB04.0000-18GGC-E(T) | 49SMLB04.0000-18GGC-E(T) SARONIX SMD or Through Hole | 49SMLB04.0000-18GGC-E(T).pdf | |
![]() | PBY453215-700Y-S | PBY453215-700Y-S ORIGINAL SMD or Through Hole | PBY453215-700Y-S.pdf | |
![]() | T5A6CP | T5A6CP KEC TO-220 | T5A6CP.pdf | |
![]() | NRSH151M25V6.3X11F | NRSH151M25V6.3X11F NIC DIP | NRSH151M25V6.3X11F.pdf | |
![]() | 2SD1938(F)-ST( | 2SD1938(F)-ST( Panasoni SOT23 | 2SD1938(F)-ST(.pdf | |
![]() | MPC8349ZUAJFB | MPC8349ZUAJFB Freescale BGA | MPC8349ZUAJFB.pdf | |
![]() | FSG100X6N | FSG100X6N ORIGINAL SMD or Through Hole | FSG100X6N.pdf | |
![]() | KS5805B | KS5805B SAMSUNG DIP | KS5805B.pdf |