창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ50N20P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Q)50N20P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2720pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ50N20P | |
| 관련 링크 | IXTQ50, IXTQ50N20P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602BI-13-33E-24.000000E | OSC XO 3.3V 24MHZ OE | SIT1602BI-13-33E-24.000000E.pdf | |
![]() | Y1496134R000Q0W | RES SMD 134 OHM 0.02% 0.15W 1206 | Y1496134R000Q0W.pdf | |
![]() | 4310M-101-472 | RES ARRAY 9 RES 4.7K OHM 10SIP | 4310M-101-472.pdf | |
![]() | G4ODC24A | G4ODC24A OPTO null | G4ODC24A.pdf | |
![]() | dm54l86n | dm54l86n nsc SMD or Through Hole | dm54l86n.pdf | |
![]() | PM20-R033M | PM20-R033M PDI 322533N | PM20-R033M.pdf | |
![]() | U2Z16 | U2Z16 TOSHIBA I-FLAT2 | U2Z16.pdf | |
![]() | ROP101 1668 RIA | ROP101 1668 RIA ERICSSON BGA | ROP101 1668 RIA.pdf | |
![]() | 8135L-AE3-5-R | 8135L-AE3-5-R UTC SOT23 | 8135L-AE3-5-R.pdf | |
![]() | CS316-DIP16 | CS316-DIP16 ORIGINAL DIP-16 | CS316-DIP16.pdf | |
![]() | 1N2525 | 1N2525 IR SMD or Through Hole | 1N2525.pdf |