창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ470P2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTQ470P2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarP2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 830W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ470P2 | |
| 관련 링크 | IXTQ4, IXTQ470P2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 416F520X3AKT | 52MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F520X3AKT.pdf | |
![]() | MLG0603P2N0STD25 | 2nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 100 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P2N0STD25.pdf | |
![]() | PFE5KR120E | RES CHAS MNT 0.12 OHM 10% 994W | PFE5KR120E.pdf | |
![]() | CMF60332R00FKBF64 | RES 332 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60332R00FKBF64.pdf | |
![]() | 2SA812B-T1BM6 | 2SA812B-T1BM6 NEC/RENESAS SOT-23 | 2SA812B-T1BM6.pdf | |
![]() | R3133D20EA-TR-F | R3133D20EA-TR-F RICOH SOT23-6 | R3133D20EA-TR-F.pdf | |
![]() | ZV-6-M-0805-101-R | ZV-6-M-0805-101-R KEKO SMD or Through Hole | ZV-6-M-0805-101-R.pdf | |
![]() | LA80486DX33 | LA80486DX33 NULL NULL | LA80486DX33.pdf | |
![]() | P83C54EFB242 | P83C54EFB242 ORIGINAL QFP | P83C54EFB242.pdf | |
![]() | 2MBR50N-060 | 2MBR50N-060 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2MBR50N-060.pdf | |
![]() | IR36A250VAC | IR36A250VAC BUSSMANN SMD or Through Hole | IR36A250VAC.pdf |