창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ40N50L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q,T)40N50L2 | |
| 주요제품 | Linear L2™ MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 170m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 320nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ40N50L2 | |
| 관련 링크 | IXTQ40, IXTQ40N50L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 08055U120FAT2A | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055U120FAT2A.pdf | |
![]() | PME271M415MR31 | PME271M415MR31 EVOX RIFA SMD or Through Hole | PME271M415MR31.pdf | |
![]() | 83C92CU | 83C92CU ORIGINAL SMD or Through Hole | 83C92CU.pdf | |
![]() | MIC53.65-3.3YMTTZ | MIC53.65-3.3YMTTZ MICREL ROHS | MIC53.65-3.3YMTTZ.pdf | |
![]() | TPD7102 | TPD7102 TOSHIBA PS-8 | TPD7102.pdf | |
![]() | CD32-22UH 2.2UH | CD32-22UH 2.2UH ORIGINAL SMD or Through Hole | CD32-22UH 2.2UH.pdf | |
![]() | D1207 | D1207 ORIGINAL TO-92 | D1207.pdf | |
![]() | SHS-C090GR | SHS-C090GR Hitachi SMD or Through Hole | SHS-C090GR.pdf | |
![]() | K4N26323AF-GC1K | K4N26323AF-GC1K SAMSUNG BGA | K4N26323AF-GC1K.pdf | |
![]() | PL-0201 | PL-0201 PL SOP32 | PL-0201.pdf | |
![]() | SP791CN-L/TR | SP791CN-L/TR Sipex SOIC | SP791CN-L/TR.pdf |