창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ36N30P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Q)36N30P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ36N30P | |
| 관련 링크 | IXTQ36, IXTQ36N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D430MXXAP | 43pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D430MXXAP.pdf | |
![]() | SQCAEM0R5BAJME\500 | 0.50pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM0R5BAJME\500.pdf | |
![]() | CDMC6D28NP-4R7MC | 4.7µH Shielded Inductor 3.7A 46.4 mOhm Max Nonstandard | CDMC6D28NP-4R7MC.pdf | |
![]() | TX2-24V-1 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | TX2-24V-1.pdf | |
![]() | SZ55B6 | SZ55B6 SUNMATE DO-214AC(SMA) | SZ55B6.pdf | |
![]() | LC9931K | LC9931K SANYO NA | LC9931K.pdf | |
![]() | 50148-8100 | 50148-8100 MOLEX SMD or Through Hole | 50148-8100.pdf | |
![]() | DE2E3KH472MB4B | DE2E3KH472MB4B MURATA SMD or Through Hole | DE2E3KH472MB4B.pdf | |
![]() | CV111IPVG | CV111IPVG IDT SSOP | CV111IPVG.pdf | |
![]() | 4.7Ω ±5% 5W | 4.7Ω ±5% 5W ORIGINAL SMD or Through Hole | 4.7Ω ±5% 5W.pdf | |
![]() | PM731222-BI | PM731222-BI PMC BGA | PM731222-BI.pdf | |
![]() | TXC-04002-BIP | TXC-04002-BIP ORIGINAL PLCC84 | TXC-04002-BIP.pdf |