창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ30N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q,T,V)30N60P(S) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5050pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ30N60P | |
| 관련 링크 | IXTQ30, IXTQ30N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RV1206JR-071KL | RES SMD 1K OHM 5% 1/4W 1206 | RV1206JR-071KL.pdf | |
![]() | 89954SOCN348A1223P | 89954SOCN348A1223P INTERSIL CLCC28 | 89954SOCN348A1223P.pdf | |
![]() | RE2-25V102MN-T4 | RE2-25V102MN-T4 ELN SMD or Through Hole | RE2-25V102MN-T4.pdf | |
![]() | CP8284A | CP8284A HARRIS DIP | CP8284A.pdf | |
![]() | 24LC02BT-E/OT | 24LC02BT-E/OT MICROCHIP SOT-23-5-TR | 24LC02BT-E/OT.pdf | |
![]() | 0603R360K 1% | 0603R360K 1% RK SMD or Through Hole | 0603R360K 1%.pdf | |
![]() | CSTCR4MG53-RO | CSTCR4MG53-RO ORIGINAL SMD or Through Hole | CSTCR4MG53-RO.pdf | |
![]() | VUO25-18NO1 | VUO25-18NO1 IXYS SMD or Through Hole | VUO25-18NO1.pdf | |
![]() | NJM2137M-(TE1) | NJM2137M-(TE1) JRC/SOP. SMD or Through Hole | NJM2137M-(TE1).pdf | |
![]() | F93OJ106MAAAVA | F93OJ106MAAAVA ORIGINAL A | F93OJ106MAAAVA.pdf |