창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ26N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q,T,V)26N60P(S) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 460W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ26N60P | |
| 관련 링크 | IXTQ26, IXTQ26N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | V10P10HM3/86A | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A | V10P10HM3/86A.pdf | |
![]() | RC0603DR-07261KL | RES SMD 261K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-07261KL.pdf | |
![]() | CPF0603F9R09C1 | RES SMD 9.09 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F9R09C1.pdf | |
![]() | TCH35P15R0JE | RES 15 OHM 35W 5% TO220 | TCH35P15R0JE.pdf | |
![]() | PCD5114 | PCD5114 ORIGINAL DIP | PCD5114.pdf | |
![]() | MB88515B 1388N | MB88515B 1388N FUJITSU DIP64 | MB88515B 1388N.pdf | |
![]() | AN5390FBS | AN5390FBS PANASONIC SMD or Through Hole | AN5390FBS.pdf | |
![]() | STPS2045CTFP | STPS2045CTFP ST TO-220F | STPS2045CTFP.pdf | |
![]() | ALS30A101DA400 | ALS30A101DA400 BHC/AEROVOXLTD SMD or Through Hole | ALS30A101DA400.pdf | |
![]() | 24.570MHZ | 24.570MHZ EPSON VG-4231CE(3.22.5)C | 24.570MHZ.pdf | |
![]() | GRM219R60J226M**** | GRM219R60J226M**** N/A N A | GRM219R60J226M****.pdf | |
![]() | EKMF100ELL330ME11D | EKMF100ELL330ME11D NIPPONCHEMI-CON DIP-2 | EKMF100ELL330ME11D.pdf |