창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ22N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTQ22N60P, IXTV22N60P/PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ22N60P | |
| 관련 링크 | IXTQ22, IXTQ22N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AC-21-XXE-25.000000E | OSC XO 25MHZ | SIT8008AC-21-XXE-25.000000E.pdf | |
![]() | TNPW2512442KBEEY | RES SMD 442K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512442KBEEY.pdf | |
![]() | UJ28 | UJ28 LT SOT23-5 | UJ28.pdf | |
![]() | 3P80G9XZZ-SN99 | 3P80G9XZZ-SN99 SAMSUNG SOP28 | 3P80G9XZZ-SN99.pdf | |
![]() | ECH8302-TL-E | ECH8302-TL-E SANYO ECH8 | ECH8302-TL-E.pdf | |
![]() | 4N29-X009 | 4N29-X009 FSC/VISHAY/INF SOP DIP | 4N29-X009.pdf | |
![]() | RH5VT20AA | RH5VT20AA RICOH SOT89-3 | RH5VT20AA.pdf | |
![]() | R82DC4220ZA70K | R82DC4220ZA70K KEM/RIFA J | R82DC4220ZA70K.pdf | |
![]() | LA183B-1/230-A-PF | LA183B-1/230-A-PF LIGITEK ROHS | LA183B-1/230-A-PF.pdf | |
![]() | MCP3202TCISN | MCP3202TCISN NULL DO-41 | MCP3202TCISN.pdf | |
![]() | SNY425(H990B9727) | SNY425(H990B9727) HALAYSIA DIP | SNY425(H990B9727).pdf | |
![]() | LQW18AN27NG00J | LQW18AN27NG00J MURATA SMD or Through Hole | LQW18AN27NG00J.pdf |