창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ22N50P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q,V)22N50P(S) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2630pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 350W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ22N50P | |
| 관련 링크 | IXTQ22, IXTQ22N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445C23K24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C23K24M57600.pdf | |
![]() | 416F26025CDR | 26MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26025CDR.pdf | |
![]() | CPR05100R0KE14 | RES 100 OHM 5W 10% RADIAL | CPR05100R0KE14.pdf | |
![]() | Y008960K5000BR13L | RES 60.5K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y008960K5000BR13L.pdf | |
![]() | M51348AVP | M51348AVP MIT SMD or Through Hole | M51348AVP.pdf | |
![]() | RD5.1EST1 | RD5.1EST1 nec SMD or Through Hole | RD5.1EST1.pdf | |
![]() | M4643215JC18JI | M4643215JC18JI lat SMD or Through Hole | M4643215JC18JI.pdf | |
![]() | TDA8841/N2 | TDA8841/N2 NXP/PH SMD or Through Hole | TDA8841/N2.pdf | |
![]() | MGA52543-TR1G | MGA52543-TR1G Agilent SOT343 | MGA52543-TR1G.pdf | |
![]() | NMC27C256BV-250 | NMC27C256BV-250 NS PLCC | NMC27C256BV-250.pdf | |
![]() | HC2E477M22045 | HC2E477M22045 samwha DIP-2 | HC2E477M22045.pdf | |
![]() | KK400A1200V | KK400A1200V SanRexPak SMD or Through Hole | KK400A1200V.pdf |