창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTQ22N50P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(H,Q,V)22N50P(S) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2630pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 350W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTQ22N50P | |
관련 링크 | IXTQ22, IXTQ22N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
ELXV6R3ELL562MK40S | 5600µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | ELXV6R3ELL562MK40S.pdf | ||
VJ0603D1R4CLPAC | 1.4pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R4CLPAC.pdf | ||
GRM0335C1H3R8BD01D | 3.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H3R8BD01D.pdf | ||
3090-101J | 100nH Unshielded Inductor 970mA 80 mOhm Max 2-SMD | 3090-101J.pdf | ||
H57V1262GTR-75 | H57V1262GTR-75 HYNIX SMD or Through Hole | H57V1262GTR-75.pdf | ||
TC4422AEOA | TC4422AEOA MICROCHIP SOP8 | TC4422AEOA.pdf | ||
K4E171612C-JL60 | K4E171612C-JL60 SAMSUNG SOJ | K4E171612C-JL60.pdf | ||
G5CA-1A-E-48VDC | G5CA-1A-E-48VDC ORIGINAL DIP | G5CA-1A-E-48VDC.pdf | ||
HZM5.1B2TL | HZM5.1B2TL HITACHI SOT23 | HZM5.1B2TL.pdf | ||
PM4G-100G | PM4G-100G ORIGINAL SMD or Through Hole | PM4G-100G.pdf | ||
93LC86/SN | 93LC86/SN ORIGINAL SOP | 93LC86/SN .pdf |