창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTQ18N60P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTQ18N60P, IXTV18N60P/PS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTQ18N60P | |
관련 링크 | IXTQ18, IXTQ18N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | SMBJ160A-E3/52 | TVS DIODE 160VWM 259VC SMB | SMBJ160A-E3/52.pdf | |
![]() | SIT8008AC-21-18E-12.000000E | OSC XO 1.8V 12MHZ OE | SIT8008AC-21-18E-12.000000E.pdf | |
![]() | ERJ-2GEJ1R0X | RES SMD 1 OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ1R0X.pdf | |
![]() | Y162245R0000B9L | RES 45 OHM 8W 0.1% TO220-2 | Y162245R0000B9L.pdf | |
![]() | 10R 5% 0603 | 10R 5% 0603 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10R 5% 0603.pdf | |
![]() | A8801CPCNG6F99 | A8801CPCNG6F99 TOS DIP-64 | A8801CPCNG6F99.pdf | |
![]() | W0428RF30 | W0428RF30 WESTCODE 428A3000VDIODE | W0428RF30.pdf | |
![]() | 744231261- | 744231261- WE SMD | 744231261-.pdf | |
![]() | IW16900MQTJS | IW16900MQTJS ORIGINAL SOP8 | IW16900MQTJS.pdf | |
![]() | MF55SS-1102F-A5 | MF55SS-1102F-A5 ASJ SMD or Through Hole | MF55SS-1102F-A5.pdf | |
![]() | K0007 | K0007 ORIGINAL ZIP11 | K0007.pdf | |
![]() | D2510051R1%P5 | D2510051R1%P5 D SMD or Through Hole | D2510051R1%P5.pdf |