창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ150N15P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(K,Q)150N15P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 714W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ150N15P | |
| 관련 링크 | IXTQ15, IXTQ150N15P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | PWD-5532-03-SMA-79 | RF Power Divider 2GHz ~ 18GHz Isolation (Min) 20dB Module | PWD-5532-03-SMA-79.pdf | |
![]() | IL3860 | IL3860 ORIGINAL SOP-8L | IL3860.pdf | |
![]() | TCFN3216X-222T20 | TCFN3216X-222T20 ORIGINAL SMD or Through Hole | TCFN3216X-222T20.pdf | |
![]() | MAX4428ESA+T | MAX4428ESA+T MAXIM 8-SOIC | MAX4428ESA+T.pdf | |
![]() | ROS-35V470M | ROS-35V470M ELNA DIP | ROS-35V470M.pdf | |
![]() | LTC6900CS5TRPBF | LTC6900CS5TRPBF LTC-SF SMD or Through Hole | LTC6900CS5TRPBF.pdf | |
![]() | LRS1B39C | LRS1B39C SHARP BGA | LRS1B39C.pdf | |
![]() | 8HS | 8HS UTHC DIP12 | 8HS.pdf | |
![]() | VG033CHXTB5K | VG033CHXTB5K HIKURIKU 3X3-5K | VG033CHXTB5K.pdf | |
![]() | MAX8216CSD/ESD | MAX8216CSD/ESD MAXIM SMD | MAX8216CSD/ESD.pdf | |
![]() | MD110A1000V | MD110A1000V ORIGINAL SMD or Through Hole | MD110A1000V.pdf |