창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ140N10P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Q,T)140N10P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ140N10P | |
| 관련 링크 | IXTQ14, IXTQ140N10P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D221FXXAR | 220pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D221FXXAR.pdf | |
![]() | PHP00805E2711BBT1 | RES SMD 2.71K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E2711BBT1.pdf | |
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![]() | P991201557 | P991201557 JAPAN DIP | P991201557.pdf | |
![]() | PI3C3125QE | PI3C3125QE PERICOM SSOP16 | PI3C3125QE.pdf | |
![]() | BSN50GP120 | BSN50GP120 ORIGINAL SMD or Through Hole | BSN50GP120.pdf | |
![]() | WA5-220S05 | WA5-220S05 ORIGINAL SMD or Through Hole | WA5-220S05.pdf | |
![]() | OPA211SHKJ | OPA211SHKJ ORIGINAL SMD or Through Hole | OPA211SHKJ.pdf | |
![]() | AS500 | AS500 VISHAY SOP8 | AS500.pdf | |
![]() | RD5.6P-TI | RD5.6P-TI NEC SOT-89 | RD5.6P-TI.pdf |