창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ130N15T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q)130N15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 65A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 113nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 750W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ130N15T | |
| 관련 링크 | IXTQ13, IXTQ130N15T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-1GNF7321C | RES SMD 7.32K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF7321C.pdf | |
![]() | RSF2JT3K00 | RES MO 2W 3K OHM 5% AXIAL | RSF2JT3K00.pdf | |
![]() | 817CY-270M=P3 | 817CY-270M=P3 TOKO SMD or Through Hole | 817CY-270M=P3.pdf | |
![]() | XC5206PQ100AKJ | XC5206PQ100AKJ XILINX QFP | XC5206PQ100AKJ.pdf | |
![]() | 22205A183KAT2A | 22205A183KAT2A AVX SMD | 22205A183KAT2A.pdf | |
![]() | T497A105K015AT | T497A105K015AT KEMET SMD | T497A105K015AT.pdf | |
![]() | NRSX682M6.3V12.5X40C | NRSX682M6.3V12.5X40C NIC SMD or Through Hole | NRSX682M6.3V12.5X40C.pdf | |
![]() | UTRXX0070906 | UTRXX0070906 Yageo SMD or Through Hole | UTRXX0070906.pdf | |
![]() | 5SNS0075W120000 | 5SNS0075W120000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5SNS0075W120000.pdf | |
![]() | LH53855T | LH53855T MAXIM DIP-42L | LH53855T.pdf | |
![]() | M32429F | M32429F ORIGINAL SOP8 | M32429F.pdf | |
![]() | NJM2113R(TE1) | NJM2113R(TE1) JRC MSOP8 | NJM2113R(TE1).pdf |