창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ120N20P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(K,Q)120N20P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 152nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 714W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ120N20P | |
| 관련 링크 | IXTQ12, IXTQ120N20P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTD-8.000MHZ-XC-E-T | 8MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-8.000MHZ-XC-E-T.pdf | |
![]() | RT0603BRC07787RL | RES SMD 787 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC07787RL.pdf | |
![]() | MAX208IDB | MAX208IDB BB/TI SMD24 | MAX208IDB.pdf | |
![]() | 30324 | 30324 BOSCH SMD or Through Hole | 30324.pdf | |
![]() | 8086-P | 8086-P NS DIP | 8086-P.pdf | |
![]() | GRM1885C1H470GZ01D | GRM1885C1H470GZ01D muRata SMD or Through Hole | GRM1885C1H470GZ01D.pdf | |
![]() | U0805C470JNT | U0805C470JNT ORIGINAL SMD or Through Hole | U0805C470JNT.pdf | |
![]() | CLFDO5022P472HC | CLFDO5022P472HC CoilCraft NA | CLFDO5022P472HC.pdf | |
![]() | RF38F3040MOY3DFB | RF38F3040MOY3DFB INTEL BGA | RF38F3040MOY3DFB.pdf | |
![]() | TDA9981AHL/15/C181 | TDA9981AHL/15/C181 NXP SMD or Through Hole | TDA9981AHL/15/C181.pdf | |
![]() | ltv180wq-f02 | ltv180wq-f02 SAMSUNG SMD or Through Hole | ltv180wq-f02.pdf |