창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTQ100N25P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(K,Q,T)100N25P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTQ100N25P | |
| 관련 링크 | IXTQ10, IXTQ100N25P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | UP050B333K-A-BZ | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 B 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050B333K-A-BZ.pdf | |
![]() | CRCW12104M02FKEA | RES SMD 4.02M OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12104M02FKEA.pdf | |
![]() | TNPW201030K0BEEY | RES SMD 30K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201030K0BEEY.pdf | |
![]() | FRM-50JR-52-510R | RES 510 OHM 1/2W 5% AXIAL | FRM-50JR-52-510R.pdf | |
![]() | CW0059K000JS73 | RES 9K OHM 6.5W 5% AXIAL | CW0059K000JS73.pdf | |
![]() | CPSL07R1000JB145 | RES 0.1 OHM 7W 5% 4LEAD | CPSL07R1000JB145.pdf | |
![]() | T358S12TEB | T358S12TEB EUPEC SMD or Through Hole | T358S12TEB.pdf | |
![]() | F12C30C | F12C30C MOSPEC TO-220 | F12C30C.pdf | |
![]() | TCSVN0G106KBAR | TCSVN0G106KBAR SAMSUNG SMD | TCSVN0G106KBAR.pdf | |
![]() | CMR200T-32.768KDZB-UT | CMR200T-32.768KDZB-UT CITIZEN SMD or Through Hole | CMR200T-32.768KDZB-UT.pdf | |
![]() | MC68HC811E1FN2 | MC68HC811E1FN2 MOT PLCC | MC68HC811E1FN2.pdf |