창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP8N65X2M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTP8N65X2M | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 32W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTP8N65X2M | |
관련 링크 | IXTP8N, IXTP8N65X2M 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
AUIRFB8405 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | AUIRFB8405.pdf | ||
1393811-1 | RELAY GEN PURP | 1393811-1.pdf | ||
RNCF0805BKT511R | RES SMD 511 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BKT511R.pdf | ||
SSCSNBN005PDAC5 | Pressure Sensor ±5 PSI (±34.47 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.25 V 4-SIP, Dual Ports, Same Side | SSCSNBN005PDAC5.pdf | ||
10FDZ-BT(S)(LF)(SN) | 10FDZ-BT(S)(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 10FDZ-BT(S)(LF)(SN).pdf | ||
HM27C1024HG-85 | HM27C1024HG-85 ORIGINAL DIP | HM27C1024HG-85.pdf | ||
L-573YD | L-573YD PARA ROHS | L-573YD.pdf | ||
NTE3086 | NTE3086 ORIGINAL DIP-8 | NTE3086.pdf | ||
LA71023 | LA71023 SANYO QFP | LA71023.pdf | ||
SG7908AR/883B | SG7908AR/883B MSC DIP | SG7908AR/883B.pdf | ||
SAK-CI164SL-8RM | SAK-CI164SL-8RM Infineon SMD or Through Hole | SAK-CI164SL-8RM.pdf |