창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP80N075L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,H)80N075L2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 103nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 357W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP80N075L2 | |
| 관련 링크 | IXTP80N, IXTP80N075L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RE1206FRE0759RL | RES SMD 59 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0759RL.pdf | |
![]() | AT0402DRD0711K5L | RES SMD 11.5KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD0711K5L.pdf | |
![]() | RT0805BRE072K1L | RES SMD 2.1K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE072K1L.pdf | |
![]() | Y160820R0000Q0L | RES 20 OHM 2W .02% RADIAL | Y160820R0000Q0L.pdf | |
![]() | 7667 | 7667 HAR SOP-8 | 7667.pdf | |
![]() | HG28E10805P | HG28E10805P HIT DIP | HG28E10805P.pdf | |
![]() | FCI2012F-1R5K | FCI2012F-1R5K CN O805 | FCI2012F-1R5K.pdf | |
![]() | TP-FS3N-30X-12(24) | TP-FS3N-30X-12(24) ORIGINAL SMD or Through Hole | TP-FS3N-30X-12(24).pdf | |
![]() | KBR-480B | KBR-480B KYOCER CERAMICRESONATOR | KBR-480B.pdf | |
![]() | MA200A | MA200A PANASONIC SMD or Through Hole | MA200A.pdf | |
![]() | GA1F4L | GA1F4L NEC SOT323 | GA1F4L.pdf | |
![]() | MMZ2012R150AT00 | MMZ2012R150AT00 ORIGINAL SMD or Through Hole | MMZ2012R150AT00.pdf |