창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP6N50P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)6N50P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP6N50P | |
| 관련 링크 | IXTP6, IXTP6N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CIH10T4N7SNC | 4.7nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 160 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | CIH10T4N7SNC.pdf | |
![]() | 105-222J | 2.2µH Unshielded Inductor 235mA 1.7 Ohm Max 2-SMD | 105-222J.pdf | |
![]() | PR02000203602JR500 | RES 36K OHM 2W 5% AXIAL | PR02000203602JR500.pdf | |
![]() | CP001510R00JB14 | RES 10 OHM 15W 5% AXIAL | CP001510R00JB14.pdf | |
![]() | 08-50-0105 | 08-50-0105 MOLEX SMD or Through Hole | 08-50-0105.pdf | |
![]() | AD21161N | AD21161N ADI BGA | AD21161N.pdf | |
![]() | HT110NB5-CT-MC | HT110NB5-CT-MC HARVATEK SMD or Through Hole | HT110NB5-CT-MC.pdf | |
![]() | UPD1708AG-828-00 | UPD1708AG-828-00 NEC QFP | UPD1708AG-828-00.pdf | |
![]() | ADG451TQ/883 | ADG451TQ/883 ADI DIP16 | ADG451TQ/883.pdf | |
![]() | MP7515-DS | MP7515-DS MP SOP8 | MP7515-DS.pdf | |
![]() | RVO-35V330MG68P2-R | RVO-35V330MG68P2-R ELNA SMD | RVO-35V330MG68P2-R.pdf |