창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP62N15P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Q)62N15P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 350W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP62N15P | |
| 관련 링크 | IXTP62, IXTP62N15P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | CMR05F910FPDR | CMR MICA | CMR05F910FPDR.pdf | |
|  | RACF648NJT10K0 | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 2512 | RACF648NJT10K0.pdf | |
|  | P51-1500-A-AF-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Male - 9/16" (14.29mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1500-A-AF-MD-4.5OVP-000-000.pdf | |
|  | LH1514AASTR | LH1514AASTR INFINEON SMD8 | LH1514AASTR.pdf | |
|  | 62021A1-KYCP9BFDA | 62021A1-KYCP9BFDA ORIGINAL BGA | 62021A1-KYCP9BFDA.pdf | |
|  | NL453232T-820K-N | NL453232T-820K-N ORIGINAL SMD or Through Hole | NL453232T-820K-N.pdf | |
|  | 3RTHC1VVB109MHA | 3RTHC1VVB109MHA SAMWHA SMD or Through Hole | 3RTHC1VVB109MHA.pdf | |
|  | M10D120 | M10D120 FUJITSU TO-3P | M10D120.pdf | |
|  | AS19073 | AS19073 APHI SMD or Through Hole | AS19073.pdf | |
|  | ELMOS10002E | ELMOS10002E ELMOS SOP | ELMOS10002E.pdf | |
|  | MAX3232DR | MAX3232DR MAXIM SOP | MAX3232DR.pdf | |
|  | HD66136TBO | HD66136TBO HITACHI TCP | HD66136TBO.pdf |