창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP56N15T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)56N15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 28A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP56N15T | |
| 관련 링크 | IXTP56, IXTP56N15T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | BZX79-B2V4,143 | DIODE ZENER 2.4V 400MW ALF2 | BZX79-B2V4,143.pdf | |
![]() | HMC493LP3 | RF Power Divider 0Hz ~ 18GHz | HMC493LP3.pdf | |
![]() | VCT3831A-PP-C4T | VCT3831A-PP-C4T MICRONAS SOP | VCT3831A-PP-C4T.pdf | |
![]() | TZVY2R200A110T00 2x2 20p | TZVY2R200A110T00 2x2 20p MURATA SMD or Through Hole | TZVY2R200A110T00 2x2 20p.pdf | |
![]() | SLE08B-T5-2 | SLE08B-T5-2 PTC SOP-16 | SLE08B-T5-2.pdf | |
![]() | UT330-LF | UT330-LF USBEST QFP | UT330-LF.pdf | |
![]() | FH12-50S-0.5SV(80) | FH12-50S-0.5SV(80) HRS Connection | FH12-50S-0.5SV(80).pdf | |
![]() | 2SCT5200 | 2SCT5200 TOS TO-3P | 2SCT5200.pdf | |
![]() | TEA1530AT/N2/DG | TEA1530AT/N2/DG NXP SOIC8 | TEA1530AT/N2/DG.pdf | |
![]() | 50YXH820M16X20 | 50YXH820M16X20 RUBYCON DIP | 50YXH820M16X20.pdf | |
![]() | SFV10R-2STE1HLF | SFV10R-2STE1HLF FCI ROHS | SFV10R-2STE1HLF.pdf |