창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP54N30T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 54A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP54N30T | |
| 관련 링크 | IXTP54, IXTP54N30T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 31GF6-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | 31GF6-E3/73.pdf | |
![]() | EAISR3216A1 | Infrared (IR) Emitter 850nm 1.45V 50mA 3mW/sr @ 20mA 60° 1206 (3216 Metric) | EAISR3216A1.pdf | |
![]() | TAJB476M6R3RNJ | TAJB476M6R3RNJ AVX B | TAJB476M6R3RNJ.pdf | |
![]() | IC4-0500 | IC4-0500 ORIGINAL SMD or Through Hole | IC4-0500.pdf | |
![]() | EP22V10LC-7 | EP22V10LC-7 ALTERA Call | EP22V10LC-7.pdf | |
![]() | 4834N | 4834N ONS QFN8 | 4834N.pdf | |
![]() | 1SS336Phone:82766440A | 1SS336Phone:82766440A TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS336Phone:82766440A.pdf | |
![]() | 74AC244FS | 74AC244FS TOS TSSOP | 74AC244FS.pdf | |
![]() | HD74LS139P-E LEADFREE | HD74LS139P-E LEADFREE ORIGINAL DIP | HD74LS139P-E LEADFREE.pdf | |
![]() | 40D45C | 40D45C TCC TO-247 | 40D45C.pdf | |
![]() | 74F657DWR | 74F657DWR ti SMD or Through Hole | 74F657DWR.pdf | |
![]() | GRM44-1R105K50M6301-500 | GRM44-1R105K50M6301-500 MURATA SMD | GRM44-1R105K50M6301-500.pdf |