창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP3N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Y) 3N60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 411pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP3N60P | |
| 관련 링크 | IXTP3, IXTP3N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 5KP51A-TP | TVS DIODE 51VWM 82.4VC R6 | 5KP51A-TP.pdf | |
![]() | RAVF104DJT16K0 | RES ARRAY 4 RES 16K OHM 0804 | RAVF104DJT16K0.pdf | |
![]() | P51-100-G-AF-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 9/16" (14.29mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-G-AF-P-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | ESE18LF01 | ESE18LF01 ALPS SMD or Through Hole | ESE18LF01.pdf | |
![]() | RS45111ABA02 | RS45111ABA02 ALPS SMD or Through Hole | RS45111ABA02.pdf | |
![]() | ZSC503X | ZSC503X ORIGINAL SMD or Through Hole | ZSC503X.pdf | |
![]() | DTC143XK | DTC143XK ROHM SOT23 | DTC143XK.pdf | |
![]() | CBB/1UF/1KV | CBB/1UF/1KV CBB DIP | CBB/1UF/1KV.pdf | |
![]() | BD8223EFV | BD8223EFV ROHM TSSOP | BD8223EFV.pdf | |
![]() | PSSL1306T-470M-N | PSSL1306T-470M-N ORIGINAL SMD or Through Hole | PSSL1306T-470M-N.pdf | |
![]() | PHE830M275VX2 | PHE830M275VX2 RIFA SMD or Through Hole | PHE830M275VX2.pdf |