창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP3N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Y) 3N60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 411pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP3N60P | |
| 관련 링크 | IXTP3, IXTP3N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | R46KN333000M1K | 0.33µF Film Capacitor 275V 560V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.276" W (26.50mm x 7.00mm) | R46KN333000M1K.pdf | |
![]() | MKP383462100JPI2T0 | 0.62µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.614" L x 0.709" W (41.00mm x 18.00mm) | MKP383462100JPI2T0.pdf | |
![]() | 595D107X06R3C4T | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2812 (7132 Metric) 200 mOhm 0.280" L x 0.126" W (7.10mm x 3.20mm) | 595D107X06R3C4T.pdf | |
![]() | RC1218DK-0768K1L | RES SMD 68.1K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-0768K1L.pdf | |
![]() | CR70U-020R | CR70U-020R Central SMD or Through Hole | CR70U-020R.pdf | |
![]() | CB2012GA202T | CB2012GA202T SAMWHA SMD | CB2012GA202T.pdf | |
![]() | MLG0402Q3N4ST | MLG0402Q3N4ST TDK SMD or Through Hole | MLG0402Q3N4ST.pdf | |
![]() | 1812WBT1.5-3L | 1812WBT1.5-3L ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812WBT1.5-3L.pdf | |
![]() | LT1232IS8 | LT1232IS8 LT SO8 | LT1232IS8.pdf | |
![]() | C222K225K5R5CR | C222K225K5R5CR KEMET DIP | C222K225K5R5CR.pdf | |
![]() | PA9511A | PA9511A NXP SOP8 | PA9511A.pdf | |
![]() | NTB13N10G | NTB13N10G ON D2PAK | NTB13N10G.pdf |