창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP3N50D2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P)3N50D2 | |
주요제품 | Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.5A, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1070pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTP3N50D2 | |
관련 링크 | IXTP3N, IXTP3N50D2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | AQ12EM560JAJME\250V | 56pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM560JAJME\250V.pdf | |
![]() | NOJP685M006RWJ | 6.8µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 0805 (2012 Metric) 5.2 Ohm ESR | NOJP685M006RWJ.pdf | |
![]() | MMBZ5261C-HE3-18 | DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3 | MMBZ5261C-HE3-18.pdf | |
![]() | MMF003189 | STRAIN GAUGE 350 OHM SHEAR 1=5PC | MMF003189.pdf | |
![]() | LSN-1.8/10-D12J-C | LSN-1.8/10-D12J-C MURATA PS SMD or Through Hole | LSN-1.8/10-D12J-C.pdf | |
![]() | K4M56163PGBG75 | K4M56163PGBG75 samsung SMD or Through Hole | K4M56163PGBG75.pdf | |
![]() | M28C16-25WMS6 | M28C16-25WMS6 ST TSOP | M28C16-25WMS6.pdf | |
![]() | ACL3225S-R56K-T | ACL3225S-R56K-T TDK SMD or Through Hole | ACL3225S-R56K-T.pdf | |
![]() | D9HNQ | D9HNQ PMC BGA | D9HNQ.pdf | |
![]() | 1031304 | 1031304 TRIQUINT SMD or Through Hole | 1031304.pdf | |
![]() | 32-D00408-00 | 32-D00408-00 ACES CONNECTOR | 32-D00408-00.pdf | |
![]() | HSC277TRF-E | HSC277TRF-E RENESAS SOD-523 | HSC277TRF-E.pdf |