창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP3N110 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P)3N110/120 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTP3N110 | |
관련 링크 | IXTP3, IXTP3N110 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
4470R-11J | 6.8µH Unshielded Molded Inductor 3A 60 mOhm Max Axial | 4470R-11J.pdf | ||
PHP00805E2400BBT1 | RES SMD 240 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E2400BBT1.pdf | ||
Y008917K4000TR1R | RES 17.4K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y008917K4000TR1R.pdf | ||
G470BN | 470MHz Whip, Straight RF Antenna Connector, BN Connector Mount | G470BN.pdf | ||
ARX1112 | ARX1112 ORIGINAL CALL | ARX1112.pdf | ||
D78234GC249 | D78234GC249 ORIGINAL QFP | D78234GC249.pdf | ||
ULN2074B/NE | ULN2074B/NE ALLEGRO DIP | ULN2074B/NE.pdf | ||
MAX8877EZK29+T. | MAX8877EZK29+T. MAXIM SOT23-5 | MAX8877EZK29+T..pdf | ||
UPW1A820MEH | UPW1A820MEH NICHICON DIP | UPW1A820MEH.pdf | ||
MO1CT52A561J | MO1CT52A561J KOA SMD or Through Hole | MO1CT52A561J.pdf | ||
GTL2003BQ115 | GTL2003BQ115 NXP SOT764 | GTL2003BQ115.pdf | ||
16YXG1200M10X28 | 16YXG1200M10X28 Rubycon DIP-2 | 16YXG1200M10X28.pdf |