창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP32N20T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P)32N20T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1760pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTP32N20T | |
관련 링크 | IXTP32, IXTP32N20T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 12101C104KAT4A | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12101C104KAT4A.pdf | |
![]() | RC2010FK-0721RL | RES SMD 21 OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-0721RL.pdf | |
![]() | FGA70N30T | FGA70N30T FAIRCHILD TO-3PN | FGA70N30T.pdf | |
![]() | MAZ8200-L | MAZ8200-L Panasonic SOD-323 | MAZ8200-L.pdf | |
![]() | C3225X7R1E225KT5 | C3225X7R1E225KT5 TDK SMD or Through Hole | C3225X7R1E225KT5.pdf | |
![]() | LC6522C-3214 | LC6522C-3214 YAMAHA DIP-42 | LC6522C-3214.pdf | |
![]() | 100313070-50 | 100313070-50 AGERE QFP | 100313070-50.pdf | |
![]() | 48LC2M32B2-6 | 48LC2M32B2-6 HYNIX TSOP | 48LC2M32B2-6.pdf | |
![]() | LE25FW056FNS05-TLM-E | LE25FW056FNS05-TLM-E SANYO QFN8 | LE25FW056FNS05-TLM-E.pdf | |
![]() | MI8099GKO-7106 | MI8099GKO-7106 ORIGINAL SMD or Through Hole | MI8099GKO-7106.pdf | |
![]() | M36DR432AF102A6 | M36DR432AF102A6 STM SMD or Through Hole | M36DR432AF102A6.pdf | |
![]() | AS998ANB | AS998ANB ORIGINAL DIP-8P | AS998ANB.pdf |