창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP26P20P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IX(T,H,P,Q)A26P20P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 170m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2740pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP26P20P | |
| 관련 링크 | IXTP26, IXTP26P20P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CBR08C110G1GAC | 11pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C110G1GAC.pdf | |
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![]() | H74D-6002-H798 | H74D-6002-H798 FUJ S | H74D-6002-H798.pdf | |
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![]() | CRA12E0803-152JTR | CRA12E0803-152JTR VISHAY SMD | CRA12E0803-152JTR.pdf | |
![]() | 181015213R561 | 181015213R561 NORCOMP SOP | 181015213R561.pdf | |
![]() | UC5618DWP | UC5618DWP ORIGINAL SOP28 | UC5618DWP.pdf | |
![]() | UPD65676GL-H40-NMU | UPD65676GL-H40-NMU ORIGINAL SMD or Through Hole | UPD65676GL-H40-NMU.pdf | |
![]() | ERX1SJR20V | ERX1SJR20V ORIGINAL SMD or Through Hole | ERX1SJR20V.pdf | |
![]() | HDSP-5503-GG000 | HDSP-5503-GG000 AVA SMD or Through Hole | HDSP-5503-GG000.pdf | |
![]() | CA-30110.240M-C | CA-30110.240M-C Epson DIP | CA-30110.240M-C.pdf |