창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP26P10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Y,A,P)26P10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3820pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP26P10T | |
| 관련 링크 | IXTP26, IXTP26P10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | B43305A2188M67 | 1800µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 70 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305A2188M67.pdf | |
![]() | VJ1812A101KBLAT4X | 100pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A101KBLAT4X.pdf | |
![]() | CRGH1206F7K87 | RES SMD 7.87K OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F7K87.pdf | |
![]() | PNP1WVJR-73-0R47 | RES 0.47 OHM 1W 5% AXIAL | PNP1WVJR-73-0R47.pdf | |
![]() | TOP222Y-TSTU | TOP222Y-TSTU ORIGINAL IC | TOP222Y-TSTU.pdf | |
![]() | ADSS0011 | ADSS0011 TI TSSOP | ADSS0011.pdf | |
![]() | 24LC00B-C | 24LC00B-C MICROCHIP SOT23-5 | 24LC00B-C.pdf | |
![]() | VLB(T5)-176-0.85M-230V | VLB(T5)-176-0.85M-230V VENUS SMD or Through Hole | VLB(T5)-176-0.85M-230V.pdf | |
![]() | QTL2012-68NK | QTL2012-68NK GC 0805-68NH | QTL2012-68NK.pdf | |
![]() | UM6164DK12 | UM6164DK12 UMC DIP28 | UM6164DK12.pdf | |
![]() | 0805J0500220GCT | 0805J0500220GCT SYFER SMD or Through Hole | 0805J0500220GCT.pdf |