창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP26P10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Y,A,P)26P10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3820pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP26P10T | |
| 관련 링크 | IXTP26, IXTP26P10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RCR110DNP-150M | 15µH Shielded Inductor 2.88A 36 mOhm Max Radial | RCR110DNP-150M.pdf | |
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![]() | H459KBYA | RES 59.0K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H459KBYA.pdf | |
![]() | 5X5 | 5X5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5X5.pdf | |
![]() | W8317S | W8317S WINBOND SOP | W8317S.pdf | |
![]() | M25P10-A SMD | M25P10-A SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | M25P10-A SMD.pdf | |
![]() | XIE000021006711 | XIE000021006711 ORIGINAL SMD or Through Hole | XIE000021006711.pdf | |
![]() | 93705CF | 93705CF ICS SOP | 93705CF.pdf | |
![]() | SN74ALVT16373DL | SN74ALVT16373DL TI TSOP48 | SN74ALVT16373DL.pdf | |
![]() | NNCD6.8G-T1 | NNCD6.8G-T1 ORIGINAL SOT-153 | NNCD6.8G-T1 .pdf | |
![]() | 21.47727MHZ | 21.47727MHZ ORIGINAL SMD-2 | 21.47727MHZ.pdf |