창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP260N055T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTA,P260N055T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP260N055T2 | |
| 관련 링크 | IXTP260, IXTP260N055T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | APT12M80B | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 | APT12M80B.pdf | |
![]() | CMF601K8200FKEB | RES 1.82K OHM 1W 1% AXIAL | CMF601K8200FKEB.pdf | |
![]() | 3D7408S-25 | 3D7408S-25 DDD SMD or Through Hole | 3D7408S-25.pdf | |
![]() | 2SC4446-6-TL | 2SC4446-6-TL SANYO SOT323 | 2SC4446-6-TL.pdf | |
![]() | FS1J-TP | FS1J-TP MCC HSMA | FS1J-TP.pdf | |
![]() | ADP3421J, | ADP3421J, AD SSOP | ADP3421J,.pdf | |
![]() | SC527816CDWE | SC527816CDWE MOT SMD or Through Hole | SC527816CDWE.pdf | |
![]() | fkp1630v0.015uf | fkp1630v0.015uf wim SMD or Through Hole | fkp1630v0.015uf.pdf | |
![]() | TSL1112RA-1R0M | TSL1112RA-1R0M TDK SMD | TSL1112RA-1R0M.pdf | |
![]() | 206973-2 | 206973-2 TycoElectronics SMD or Through Hole | 206973-2.pdf | |
![]() | A3SA4.5Z | A3SA4.5Z FUJITSU DIP-SOP | A3SA4.5Z.pdf | |
![]() | PEH169VB3150QU2 | PEH169VB3150QU2 RIFA SMD or Through Hole | PEH169VB3150QU2.pdf |