창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP130N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTA130N10T, IXTP130N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP130N10T | |
| 관련 링크 | IXTP13, IXTP130N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | TCF1N | FUSE RECT 1A 600VAC/300VDC BLADE | TCF1N.pdf | |
![]() | AT1206BRD07787RL | RES SMD 787 OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD07787RL.pdf | |
![]() | Y00622K45000T9L | RES 2.45K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00622K45000T9L.pdf | |
![]() | Y14548K20000T0L | RES 8.2K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y14548K20000T0L.pdf | |
![]() | SIL20C12SADJHP4J | SIL20C12SADJHP4J ART PWRMD | SIL20C12SADJHP4J.pdf | |
![]() | 125C159 R2879 | 125C159 R2879 Chambrla DIP18 | 125C159 R2879.pdf | |
![]() | RD4.7SL-T1 | RD4.7SL-T1 NEC SOD323 | RD4.7SL-T1.pdf | |
![]() | LQC322515F-4R7M | LQC322515F-4R7M ORIGINAL SMD or Through Hole | LQC322515F-4R7M.pdf | |
![]() | LH1503AAC,LH1503 | LH1503AAC,LH1503 AT&T DIP8 | LH1503AAC,LH1503.pdf | |
![]() | SST29EE010903CNH | SST29EE010903CNH ssti SMD or Through Hole | SST29EE010903CNH.pdf | |
![]() | TS68HC901CFN | TS68HC901CFN ST SMD or Through Hole | TS68HC901CFN.pdf | |
![]() | AP10SI | AP10SI WIELAND SMD or Through Hole | AP10SI.pdf |