창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP130N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTA130N10T, IXTP130N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP130N10T | |
| 관련 링크 | IXTP13, IXTP130N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | B32621A6103J289 | 10000pF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | B32621A6103J289.pdf | |
![]() | SMZJ3804BHE3/52 | DIODE ZENER 43V 1.5W DO214AA | SMZJ3804BHE3/52.pdf | |
![]() | AT28HC64B-12PI | AT28HC64B-12PI ATMEL SMD or Through Hole | AT28HC64B-12PI.pdf | |
![]() | WF12555AA | WF12555AA INTEL BGA | WF12555AA.pdf | |
![]() | TL032IP | TL032IP ti dip | TL032IP.pdf | |
![]() | MIM-0KM3ASF | MIM-0KM3ASF UNI DIP | MIM-0KM3ASF.pdf | |
![]() | HM3-65681B-5 | HM3-65681B-5 TEMIC DIP20 | HM3-65681B-5.pdf | |
![]() | FDB75N03L | FDB75N03L n/a SMD or Through Hole | FDB75N03L.pdf | |
![]() | JQX-62F-024-1H-F | JQX-62F-024-1H-F ORIGINAL DIP-SOP | JQX-62F-024-1H-F.pdf | |
![]() | K4S643232C-TC80T | K4S643232C-TC80T SAMSUNG tssop | K4S643232C-TC80T.pdf | |
![]() | TFDS6500E | TFDS6500E VISHAY 8PIN | TFDS6500E.pdf |