창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP12N50P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,I,P) 12N50P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP12N50P | |
| 관련 링크 | IXTP12, IXTP12N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | SIT1602AIF7-XXS | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Standby | SIT1602AIF7-XXS.pdf | |
![]() | ISC1812ES1R8J | 1.8µH Shielded Wirewound Inductor 403mA 430 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES1R8J.pdf | |
![]() | H4806KBYA | RES 806K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4806KBYA.pdf | |
![]() | AT94K10AL-25BQU | AT94K10AL-25BQU ATMEL QFP144 | AT94K10AL-25BQU.pdf | |
![]() | D3V-16388-2D65 | D3V-16388-2D65 OMRONGMBH SMD or Through Hole | D3V-16388-2D65.pdf | |
![]() | AS1718D | AS1718D AD SOP | AS1718D.pdf | |
![]() | QEDS-9843#51 | QEDS-9843#51 AGILENT 4P | QEDS-9843#51.pdf | |
![]() | EP1SGX25FG1020C4 | EP1SGX25FG1020C4 ALTERA BGA | EP1SGX25FG1020C4.pdf | |
![]() | TD024THEB1 | TD024THEB1 CMI SMD or Through Hole | TD024THEB1.pdf | |
![]() | MTZJ12B | MTZJ12B ROHM DO-34 | MTZJ12B.pdf |