창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP110N055T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)110N055T | |
| PCN 단종/ EOL | IXT Series 30/Oct/2012 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 67nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP110N055T | |
| 관련 링크 | IXTP110, IXTP110N055T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MVE35VE222MM22TR | 2200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 181 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | MVE35VE222MM22TR.pdf | |
![]() | F339X141048MIM2T0 | 0.1µF Film Capacitor 480V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | F339X141048MIM2T0.pdf | |
![]() | IT8510E/EX | IT8510E/EX ITE SMD or Through Hole | IT8510E/EX.pdf | |
![]() | PTFM04BH222Q2N34B0 | PTFM04BH222Q2N34B0 MURATA SMD | PTFM04BH222Q2N34B0.pdf | |
![]() | 65001-233 | 65001-233 ORIGINAL SMD or Through Hole | 65001-233.pdf | |
![]() | 168.6785.430x | 168.6785.430x lfa SMD or Through Hole | 168.6785.430x.pdf | |
![]() | XC20XCTQ144 | XC20XCTQ144 ORIGINAL QFP | XC20XCTQ144.pdf | |
![]() | LTC3454EDD#TRBF | LTC3454EDD#TRBF LINEAR DFN | LTC3454EDD#TRBF.pdf | |
![]() | K4S560832A-TC1L | K4S560832A-TC1L SAMSUNG SDRAM | K4S560832A-TC1L.pdf | |
![]() | 3-644456-2 | 3-644456-2 Tyco con | 3-644456-2.pdf | |
![]() | KPDX2GK | KPDX2GK KYOSEMI DIP2DIP18TO | KPDX2GK.pdf |