창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTN8N150L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTN8N150L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1500V(1.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 4A, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(15V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 545W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTN8N150L | |
| 관련 링크 | IXTN8N, IXTN8N150L 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CR0402-FX-45R3GLF | RES SMD 45.3 OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-45R3GLF.pdf | |
![]() | EXB-D10C392J | RES ARRAY 8 RES 3.9K OHM 1206 | EXB-D10C392J.pdf | |
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![]() | SA5521D | SA5521D PHILIPS TSOP | SA5521D.pdf | |
![]() | TCS20DLR | TCS20DLR TOSHIBA SMD or Through Hole | TCS20DLR.pdf | |
![]() | TSC2006IRTJTE4 | TSC2006IRTJTE4 TI- TI | TSC2006IRTJTE4.pdf | |
![]() | K5750HBE 12.000000MHZ | K5750HBE 12.000000MHZ KONY SMD or Through Hole | K5750HBE 12.000000MHZ.pdf | |
![]() | UPA1808GR | UPA1808GR NEC SMD or Through Hole | UPA1808GR.pdf | |
![]() | NSTLW472M450V77X141P2F | NSTLW472M450V77X141P2F NIC DIP | NSTLW472M450V77X141P2F.pdf | |
![]() | 2SC3142/J3 | 2SC3142/J3 SANYO SOT-23 | 2SC3142/J3.pdf | |
![]() | 74LVC00AD/G | 74LVC00AD/G NXP SMD or Through Hole | 74LVC00AD/G.pdf |