창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTN5N250 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTN5N250 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 2500V(2.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.8옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTN5N250 | |
| 관련 링크 | IXTN5, IXTN5N250 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445C33D14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33D14M31818.pdf | |
| MBRTA40035L | DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER | MBRTA40035L.pdf | ||
![]() | Y162510R0000F9R | RES SMD 10 OHM 1% 0.3W 1206 | Y162510R0000F9R.pdf | |
![]() | CMF55182K00FKR6 | RES 182K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55182K00FKR6.pdf | |
![]() | CMF551R5000GKBF | RES 1.5 OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF551R5000GKBF.pdf | |
![]() | D365SYGWA/S530-E2/P17 | D365SYGWA/S530-E2/P17 EVERLIGH N A | D365SYGWA/S530-E2/P17.pdf | |
![]() | ST24W08B1 | ST24W08B1 ST DIP | ST24W08B1.pdf | |
![]() | 1SV325(TPH3F) | 1SV325(TPH3F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SV325(TPH3F).pdf | |
![]() | ZA9L1043NW2CSG | ZA9L1043NW2CSG MAXIM BGA | ZA9L1043NW2CSG.pdf | |
![]() | 1FMC33202B100 | 1FMC33202B100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1FMC33202B100.pdf | |
![]() | SS-1300-EE1 | SS-1300-EE1 ORIGINAL SMD or Through Hole | SS-1300-EE1.pdf |