창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTN550N055T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTN550N055T2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 550A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 595nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 40000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 940W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 623216 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTN550N055T2 | |
관련 링크 | IXTN550, IXTN550N055T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
RT1210WRB07680RL | RES SMD 680 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB07680RL.pdf | ||
HDM14JT4R30 | RES 4.3 OHM 1/4W 5% AXIAL | HDM14JT4R30.pdf | ||
RNMF14FTD1M10 | RES 1.1M OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD1M10.pdf | ||
043641WLAC - 01L4734 | 043641WLAC - 01L4734 IBM BGA-C | 043641WLAC - 01L4734.pdf | ||
HM628128LR7 | HM628128LR7 ORIGINAL SMD or Through Hole | HM628128LR7.pdf | ||
ERJ1GEJ122X | ERJ1GEJ122X ORIGINAL SMD | ERJ1GEJ122X.pdf | ||
5ZJ19 10A | 5ZJ19 10A OMRON SMD or Through Hole | 5ZJ19 10A.pdf | ||
LELMC3225T1R5M | LELMC3225T1R5M TAIYO 3225 | LELMC3225T1R5M.pdf | ||
US3018-CW | US3018-CW USAR/MIT SMD or Through Hole | US3018-CW.pdf | ||
SC803IML TR | SC803IML TR SEMTECH QFN-16 | SC803IML TR.pdf | ||
CI-5508-9 | CI-5508-9 NEC NULL | CI-5508-9.pdf |