창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTN32P60P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTN32P60P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarP™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 196nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTN32P60P | |
관련 링크 | IXTN32, IXTN32P60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
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![]() | ML03V11R4BAT2A | 1.4pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.033" W(1.60mm x 0.84mm) | ML03V11R4BAT2A.pdf | |
![]() | P6KE9.1CA-E3/54 | TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO204AC | P6KE9.1CA-E3/54.pdf | |
![]() | RW1S0BAR150JT | RES SMD 0.15 OHM 5% 1W J LEAD | RW1S0BAR150JT.pdf | |
![]() | CMF55768R00FKRE70 | RES 768 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55768R00FKRE70.pdf | |
![]() | DS55452J-8/883C | DS55452J-8/883C NS DIP | DS55452J-8/883C.pdf | |
![]() | 02AV | 02AV ORIGINAL TSOP8 | 02AV.pdf | |
![]() | A814AY-A006K=P3 | A814AY-A006K=P3 TOKO A814AY | A814AY-A006K=P3.pdf | |
![]() | EEEFK1V100R | EEEFK1V100R PANASONIC SMD or Through Hole | EEEFK1V100R.pdf | |
![]() | MAX1921EUT25-T | MAX1921EUT25-T MAX SOT23 | MAX1921EUT25-T.pdf | |
![]() | URZA6.3VH103U19X64LL | URZA6.3VH103U19X64LL ORIGINAL DIP | URZA6.3VH103U19X64LL.pdf | |
![]() | IRGAC30U | IRGAC30U NO SMD or Through Hole | IRGAC30U.pdf |