창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTN200N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTN200N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 152nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 550W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTN200N10T | |
| 관련 링크 | IXTN20, IXTN200N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MAL212384101 | 100µF 10V Aluminum Capacitors Axial, Can 3.6 Ohm @ 100Hz 20000 Hrs @ 125°C | MAL212384101.pdf | |
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![]() | RG3216P-4530-D-T5 | RES SMD 453 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-4530-D-T5.pdf | |
![]() | FXAS21002CQR1 | Gyroscope X (Pitch), Y (Roll), Z (Yaw) ±250, 500, 1000, 2000 4Hz ~ 256Hz I²C, SPI 24-QFN (4x4) | FXAS21002CQR1.pdf | |
![]() | BZX584C11-02V-GS08 | BZX584C11-02V-GS08 VISHAY SOD-523 | BZX584C11-02V-GS08.pdf | |
![]() | PD22B | PD22B EVERLIGHT SMD-2 | PD22B.pdf | |
![]() | HIP6004ECBZA | HIP6004ECBZA INTERSIL SOIC20 | HIP6004ECBZA.pdf | |
![]() | ASMT-MWE2-NLM00 | ASMT-MWE2-NLM00 AVAGO SMD or Through Hole | ASMT-MWE2-NLM00.pdf | |
![]() | LM155U | LM155U NS DIP | LM155U.pdf | |
![]() | M3726M3 | M3726M3 ORIGINAL SMD or Through Hole | M3726M3.pdf | |
![]() | CNB2001 | CNB2001 PANASONI SMD or Through Hole | CNB2001.pdf |