창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTN110N20L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTN110N20L2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 500nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 735W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTN110N20L2 | |
| 관련 링크 | IXTN110, IXTN110N20L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SMF05T1G | TVS DIODE 5VWM 12.5VC SOT353 | SMF05T1G.pdf | |
![]() | DSC1001DL5-018.4320 | 18.432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001DL5-018.4320.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F3651V | RES SMD 3.65K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F3651V.pdf | |
![]() | RMCP2010FT845K | RES SMD 845K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT845K.pdf | |
![]() | TCM0G107DT | TCM0G107DT CAL SMT | TCM0G107DT.pdf | |
![]() | LD0805-1R0M-N | LD0805-1R0M-N CHILISIN SMD | LD0805-1R0M-N.pdf | |
![]() | 547940978 | 547940978 MOLEX SMD or Through Hole | 547940978.pdf | |
![]() | 75C3238DWR | 75C3238DWR TI SOIC | 75C3238DWR.pdf | |
![]() | PQ30RV11J00HRA | PQ30RV11J00HRA NFHOTBUY SMD or Through Hole | PQ30RV11J00HRA.pdf | |
![]() | M4T28BR12SH1(ROHS) | M4T28BR12SH1(ROHS) STM DIP | M4T28BR12SH1(ROHS).pdf | |
![]() | PIC12C508A-04/P_e3* | PIC12C508A-04/P_e3* MIC PDIP8 | PIC12C508A-04/P_e3*.pdf | |
![]() | MC524FB2 | MC524FB2 MOT SMD or Through Hole | MC524FB2.pdf |