창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTN102N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTN102N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 51A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 152nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 595W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTN102N65X2 | |
관련 링크 | IXTN102, IXTN102N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
CBR2-060 | RECT BRIDGE 2A 600V A CASE | CBR2-060.pdf | ||
![]() | 108-183FS | 18µH Unshielded Inductor 75mA 4.4 Ohm Max 2-SMD | 108-183FS.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF2051U | RES SMD 2.05K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF2051U.pdf | |
![]() | AD11/383 7530LD/883B | AD11/383 7530LD/883B AD DIP | AD11/383 7530LD/883B.pdf | |
![]() | ST372 | ST372 ST SOP8 | ST372.pdf | |
![]() | PAL12L6MJ/83B | PAL12L6MJ/83B ORIGINAL SMD or Through Hole | PAL12L6MJ/83B.pdf | |
![]() | SC8860 | SC8860 SC SMD or Through Hole | SC8860.pdf | |
![]() | ADJR | ADJR ORIGINAL 5 SOT-23 | ADJR.pdf | |
![]() | SNC54LS12J | SNC54LS12J ORIGINAL DIP14 | SNC54LS12J.pdf | |
![]() | 848056917 | 848056917 ORIGINAL SMD or Through Hole | 848056917.pdf | |
![]() | PMHO10521602 | PMHO10521602 FIR SMD or Through Hole | PMHO10521602.pdf | |
![]() | ZR36440BGC | ZR36440BGC ZORAN BGA | ZR36440BGC.pdf |