창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTK102N30P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTK102N30P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 102A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 224nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264(IXTK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTK102N30P | |
| 관련 링크 | IXTK10, IXTK102N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MCM01-009EF750J-F | METAL CLAD - MICA | MCM01-009EF750J-F.pdf | |
![]() | MP6-2W-1L-4LE-LLL-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2W-1L-4LE-LLL-00.pdf | |
![]() | 1AB13203ABAA | 1AB13203ABAA ORIGINAL QFP | 1AB13203ABAA.pdf | |
![]() | T435600D | T435600D ST TO-126 | T435600D.pdf | |
![]() | CHM2179a-99F/00 | CHM2179a-99F/00 UMS SMD or Through Hole | CHM2179a-99F/00.pdf | |
![]() | 5100159-1 | 5100159-1 AMP SMD or Through Hole | 5100159-1.pdf | |
![]() | IDT74FCT244CTQ | IDT74FCT244CTQ IDT SSOP | IDT74FCT244CTQ.pdf | |
![]() | BAV99(A7S) | BAV99(A7S) ORIGINAL SMD or Through Hole | BAV99(A7S).pdf | |
![]() | MB88505H-689M | MB88505H-689M FUJTSV QFP | MB88505H-689M.pdf | |
![]() | QG82945GZ | QG82945GZ INTEL BGA | QG82945GZ.pdf | |
![]() | 3RG6243-3PB00-OAP5 | 3RG6243-3PB00-OAP5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3RG6243-3PB00-OAP5.pdf | |
![]() | T200F | T200F ORIGINAL SMD or Through Hole | T200F.pdf |