창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH80N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTH80N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 144nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7753pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTH80N65X2 | |
관련 링크 | IXTH80, IXTH80N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | GP1M006A065FH | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F | GP1M006A065FH.pdf | |
![]() | RCWE102033L2FKEA | RES SMD 0.0332 OHM 2W 2010 WIDE | RCWE102033L2FKEA.pdf | |
![]() | CRCW201013R7FKTF | RES SMD 13.7 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201013R7FKTF.pdf | |
![]() | PLT0603Z1402LBTS | RES SMD 14K OHM 0.01% 0.15W 0603 | PLT0603Z1402LBTS.pdf | |
![]() | 15FLZ-RSM1-TB | 15FLZ-RSM1-TB JST Connector | 15FLZ-RSM1-TB.pdf | |
![]() | 1126T0251 | 1126T0251 ORIGINAL PLCC68 | 1126T0251.pdf | |
![]() | 81228 | 81228 ORIGINAL SMD or Through Hole | 81228.pdf | |
![]() | DF13A-30DP-1.25V26) | DF13A-30DP-1.25V26) HRS SMD or Through Hole | DF13A-30DP-1.25V26).pdf | |
![]() | T7AB2XBG-001 | T7AB2XBG-001 TOSH BGA | T7AB2XBG-001.pdf | |
![]() | NRC12F1152TR | NRC12F1152TR NIC SMD or Through Hole | NRC12F1152TR.pdf | |
![]() | 6930- LF | 6930- LF TRIDENT QFP | 6930- LF.pdf |