창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH80N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTH80N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 144nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7753pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTH80N65X2 | |
관련 링크 | IXTH80, IXTH80N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | NSBA114TDXV6T1G | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | NSBA114TDXV6T1G.pdf | |
![]() | MCW0406MD6989BP100 | RES SMD 69.8 OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD6989BP100.pdf | |
![]() | BECN1007 | BECN1007 AMPHENOL SMD or Through Hole | BECN1007.pdf | |
![]() | CL-654-C1L | CL-654-C1L CITIZEN ROHS | CL-654-C1L.pdf | |
![]() | MB605Y/LB55 | MB605Y/LB55 FUJITSU DIP | MB605Y/LB55.pdf | |
![]() | LFB43942MSN3-813 | LFB43942MSN3-813 MURATA SMD | LFB43942MSN3-813.pdf | |
![]() | 6DI50A055 | 6DI50A055 FUJI SMD or Through Hole | 6DI50A055.pdf | |
![]() | 826632-6 | 826632-6 TEConnectivity SMD or Through Hole | 826632-6.pdf | |
![]() | MAX9709ETN+TD | MAX9709ETN+TD ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX9709ETN+TD.pdf | |
![]() | AD9389AXCPZ-165 | AD9389AXCPZ-165 ADI LFCSP | AD9389AXCPZ-165.pdf | |
![]() | LQN2A39NM04M00 | LQN2A39NM04M00 MURATA SMD or Through Hole | LQN2A39NM04M00.pdf | |
![]() | STP4N | STP4N ORIGINAL TO-220 | STP4N.pdf |