IXYS IXTH6N120
IXTH6N120 가격 및 조달
가능 수량
8607 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 6,223.93200
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IXTH6N120 재고가 있습니다. 우리는 IXYS 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 IXYS 전자 부품 전문. IXTH6N120 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IXTH6N120가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IXTH6N120 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IXTH6N120 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH6N120 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,T)6N120 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH6N120 | |
| 관련 링크 | IXTH6, IXTH6N120 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
IXTH6N120 의 관련 제품
 | 06031A100D4T2A | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A100D4T2A.pdf | |
 | 15.5FFVHA40E | FUSE 15.5KV 40A AIR | 15.5FFVHA40E.pdf | |
 | H866R5BCA | RES 66.5 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H866R5BCA.pdf | |
| CX-482-P-J | SENSOR PHOTO 0.1-2M 12-24VDC PNP | CX-482-P-J.pdf | |
| AS1735 | AS1735 AMS TSSOP | AS1735.pdf | |
| IRF640-TSTU | IRF640-TSTU Samsung SMD or Through Hole | IRF640-TSTU.pdf | |
| D741779 | D741779 TEXAS BGA? | D741779.pdf | |
| 9112S | 9112S TRESTN DIP-8 | 9112S.pdf | |
| HCF4047 | HCF4047 ST SOP | HCF4047.pdf | |
| MIKPOJ42 | MIKPOJ42 ORIGINAL SMD or Through Hole | MIKPOJ42.pdf | |
| MWIC930GN | MWIC930GN FREE SMD or Through Hole | MWIC930GN.pdf |