창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH68P20T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(T,H)68P20T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 68A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 33400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 568W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH68P20T | |
| 관련 링크 | IXTH68, IXTH68P20T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | NSVBAV70DXV6T5G | DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT563 | NSVBAV70DXV6T5G.pdf | |
| TZM5240B-GS18 | DIODE ZENER 10V 500MW SOD80 | TZM5240B-GS18.pdf | ||
![]() | DO3314P-223MLC | DO3314P-223MLC ORIGINAL SMD or Through Hole | DO3314P-223MLC.pdf | |
![]() | ST10050LE | ST10050LE LEVELONE TQFP1010-64 | ST10050LE.pdf | |
![]() | SC3527S/T | SC3527S/T AMCC SOP | SC3527S/T.pdf | |
![]() | 5604HX632 | 5604HX632 HM SMD or Through Hole | 5604HX632.pdf | |
![]() | GXK58256P-10L | GXK58256P-10L ORIGINAL SMD or Through Hole | GXK58256P-10L.pdf | |
![]() | AM188ED-40VC | AM188ED-40VC AMD QFP | AM188ED-40VC.pdf | |
![]() | ROS-63V330MH5 | ROS-63V330MH5 ELNA DIP | ROS-63V330MH5.pdf | |
![]() | EFOS1605E5 | EFOS1605E5 FUJISTU SOP-6 | EFOS1605E5.pdf | |
![]() | K9K1208Q0C-HIBO | K9K1208Q0C-HIBO SAMSUNG BGA | K9K1208Q0C-HIBO.pdf |