창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH62N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTH62N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5940pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH62N65X2 | |
| 관련 링크 | IXTH62, IXTH62N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | IPP50R399CPHKSA1 | MOSFET N-CH 560V 9A TO-220 | IPP50R399CPHKSA1.pdf | |
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![]() | CMF60511K00FKBF | RES 511K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60511K00FKBF.pdf | |
![]() | HBLS1005-R10J | HBLS1005-R10J HY SMD or Through Hole | HBLS1005-R10J.pdf | |
![]() | 5532/ | 5532/ JRC SOP8 | 5532/.pdf | |
![]() | TA75S54FU | TA75S54FU ORIGINAL SOT-153 | TA75S54FU.pdf | |
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![]() | 2SD756A | 2SD756A PHI TO-92L | 2SD756A.pdf | |
![]() | TD60N06KOF | TD60N06KOF EUPEC MODULE | TD60N06KOF.pdf | |
![]() | T6X55EFG-0002 | T6X55EFG-0002 NA QFP | T6X55EFG-0002.pdf | |
![]() | 78511-108H | 78511-108H FCI SMD or Through Hole | 78511-108H.pdf | |
![]() | CPCC0515R00JE01 | CPCC0515R00JE01 DLE SMD or Through Hole | CPCC0515R00JE01.pdf |